Impegnato a diventare leader in

ENERGIA

SEMICONDUTTORI

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CONTRIBUIRE ALLA GREEN-LIFE E ALLO SVILUPPO SOSTENIBILE

INNOVAZIONE, INTEGRITÀ, ENTUSIASMO, DEDIZIONE

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Tubo/modulo singolo IGBT, diodo SiC/MOS, SGT MOS, Trench-MOS, MOS a super giunzione, regolatore di tensione a tre terminali, FRD, SBD, SCR, ecc.

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T0-220C, TO-220F, TO-220M, TO-3PN, TO-247, TO-251, T0-252, T0-263, TOLL, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8, TO-92, ecc.

PRODOTTI PRINCIPALI

PACCHETTI PRINCIPALI

㎡

Superficie del pavimento

milioni

Capitale sociale

milioni

Capacità della linea di produzione

Autenticità del prodotto

Profilo Aziendale

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. è stata fondata nel dicembre 2004, con sede al n. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu. Copre una superficie di 15.000 mq. Il capitale sociale è di 81,5 milioni di yuan. Ha una linea di produzione annuale di 500 milioni di dispositivi di alimentazione. Sono presenti quattro laboratori per test caratteristici del dispositivo, test di affidabilità, test applicativi e analisi dei guasti. Donghai è un'impresa high-tech impegnata nello sviluppo, progettazione, confezionamento, test e vendita di dispositivi di potenza a semiconduttore e circuiti integrati.

PER SAPERNE DI PIÙ

Panoramica dell'azienda

Centro prodotti

Offriamo ai clienti una soluzione di prodotto completa, tra cui MOSFET LV-MV, MOSFET HV, modulo/singolo IGBT, FRD/SBD, diodo/MOS/modulo SiC, GaN e IPM.

MOSFET

DIODO

IGBT

MODULO IGBT

SIC

Circuito integrato regolatore di tensione

TUTTI I PRODOTTI

Professionale

Tecnologia

Forte

Produttività

Avanzato

Attrezzatura

Innovazione

Ricerca

Buon servizio post-vendita

Servizio

Semiconduttori e circuiti integrati di vendita calda

Tecnologia di produzione avanzata, migliori condizioni di processo e strutture dei dispositivi finemente ottimizzate per ottimizzare continuamente la resistenza di conduzione del prodotto, le caratteristiche di commutazione, l'affidabilità e promuovere continuamente l'iterazione del prodotto.

Prodotti in evidenza

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MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 170A 40V DHS020N04P DFN5*6

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Pacchetto TOLL DHS020N88U MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 240 A 85 V

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MOSFET di potenza DHS035N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 175 A 80 V

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MOSFET di potenza DHD80N03 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 40 A 30 V

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MOSFET N 100 V/1,5 mΩ/240 A DSC018N10N TO-247

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 85 A 80 V DH075N08 TO-220C

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MOSFET N 100 V/5,2 mΩ/95 A DSP070N10L3A DFN5X6

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MOSFET di potenza DSG048N08N3 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 120 A 85 V

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Diodo a recupero rapido 10A 600V MURD1060CT TO-252

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 35 A 100 V da DH100P35 a-220C

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MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 81A 30V DHP90N03 DFN5X6-8L

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-100 V/33 mΩ/-35 A P-MOSFET DH100P30D TO-252B

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MOSFET N TO-252B da 100 V/15 mΩ/50 A

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-100 V/69 mΩ/-20 A P-MOSFET DH100P20D TO-252B

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 96 A 40 V DH033N04P DFN5X6

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MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 7,6 A 650 V DHFSJ8N65 TO-220F

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 80A 85V DHS065N85 TO-220C

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 200 A 30 V DH020N03D TO-252B

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 40V DHS020N04 TO-220C

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MOSFET di potenza DHS130N06D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 70 V

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Soluzioni per sistemi di controllo intelligente della potenza a semiconduttori

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Centro notizie

WXDH ti invita cordialmente a partecipare a SNEC PV&ES Expo 2026

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04 dicembre 2025