Modulo mezzo ponte 160A 650V Modulo IGBT DGA160H65M2T 34mm

Modulo mezzo ponte 160A 650V

 1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,8 V @ IC = 160 A e Tj = 25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 applicazioni 

 Saldatura 

 Gruppo di continuità 

 Inverter a tre livelli 

 Amplificatore servoazionamento CA e CC

Tipo	VCE	Circuito integrato	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacchetto
DGA160H65M2T	650 V	160 A (Tj=100 ℃)	1,8 V (tip.)	175 ℃	34MM