160a 650V Half Bridge Module Igbtmodule DGA160H65M2T 34 մմ

Այս մեկուսացված դարպասի երկբեւեռի տրանզիստորը օգտագործեց առաջադեմ խրամատ եւ դաշտային տեխնոլոգիական ձեւավորում, տրամադրեց գերազանց VCEWat եւ անջատիչ արագություն, ցածր դարպասի լիցք: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

Առկայություն.

Քանակ:



Հարցաքննել Ավելացնել զամբյուղ

Մոդել:
DGA160H65M2T
Ապրանքանիշը
Wxdh
Փաթեթ.
34 մմ
DataSheet:
DGA160H65M2T.pdf
V:
650V
Ա.
160 ա

Ապրանքի նկարագրությունը

160A 650V Half Bridge Module

1 Նկարագրություն

Այս մեկուսացված դարպասի երկբեւեռի տրանզիստորը օգտագործեց առաջադեմ խրամատ եւ դաշտային տեխնոլոգիական ձեւավորում, տրամադրեց գերազանց VCEWat եւ անջատիչ արագություն, ցածր դարպասի լիցք: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

2 առանձնահատկություններ

● FS խրամատ տեխնոլոգիա, դրական ջերմաստիճանի գործակից

● Low ածր հագեցման լարում. VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 160A եւ TJ = 25 ° C

● Չափազանց ուժեղացված ավալանշի ունակություն

3 դիմում

 Եռակցում

 ups

 Երեք լծակ ինվերտոր

 AC եւ DC Servo Drive Amllifier

Տիպ	Վեճում	Ic	Vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	Փաթեթ
DGA160H65M2T	650V	160a (TJ = 100 ℃)	1.8V (մուտք)	175 ℃	34 մմ

Նախորդը:

Հաջորդը.

IGBT մոդուլ