160A 650V modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGA160H65M2T 34mm

160A 650V Modul polovičného mostíka

 1 Popis 

Tieto bipolárne tranzistory s izolovanou bránou používali pokročilý dizajn výkopu a technológie Fieldstop, poskytovali vynikajúcu rýchlosť VCEsat a spínania, nízke nabíjanie brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● FS Trench Technology, Kladný teplotný koeficient 

● Nízke saturačné napätie: VCE(sat), typ = 1,8V @ IC =160A a Tj = 25°C 

● Extrémne zvýšená lavínová schopnosť 

3 Aplikácie 

 Zváranie 

 UPS 

 Trojúrovňový invertor 

 AC a DC servozosilňovač

Typ	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Balíček
DGA160H65M2T	650 V	160 A (Tj = 100 ℃)	1,8 V (typ)	175 ℃	34 mm