160A 650V Half Bridge Modul IgbtModule DGA160H65M2T 34 mm

160A 650 V polovičný most Modul

 1 popis 

Tento izolovaný bipolárny tranzistor brány používal pokročilý dizajn technológie priekopy a technológie FieldStop, poskytol vynikajúcu rýchlosť Vcessat a rýchlosť prepínania, nízky náboj brány. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 

2 funkcie 

● Technológia výkopu FS, pozitívny koeficient teploty 

● Nízke nasýtenie napätie: VCE (SAT), TYP = 1,8V @ IC = 160a a TJ = 25 ° C 

● Mimoriadne vylepšená lavínová schopnosť 

3 aplikácie 

 Zváranie 

 UPS 

 Menič s tromi nohami 

 Zosilňovač diskov AC a DC Servo

Typ	Vce	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Balík
DGA160H65M2T	650V	160a (TJ = 100 ℃)	1,8 V (typ)	175 ℃	34 mm