160A 650V Modul separuh jambatan IGBTModul DGA160H65M2T 34mm

160A 650V Modul separuh jambatan

 1 Penerangan 

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan VCEsat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 

2 Ciri 

● Teknologi Parit FS, Pekali suhu positif 

● Voltan tepu rendah: VCE(sat), typ = 1.8V @ IC =160A dan Tj = 25°C 

● Keupayaan runtuhan salji yang sangat dipertingkatkan 

3 Aplikasi 

 Kimpalan 

 UPS 

 Penyongsang tiga aras 

 Penguat pemacu servo AC dan DC

taip	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pakej
DGA160H65M2T	650V	160A (Tj=100℃)	1.8V (Jenis)	175 ℃	34MM