丨
Komited untuk menjadi pemimpin dalam
KUASA
SEMIKONDUKTOR
Lihat Lagi
sepanduk2
KOMITED KEPADA 
MENJADI PEMIMPIN DALAM 
SEMIKONDUKTOR KUASA
GAZELLE ENTERPRISE
Lihat Lagi
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
0 +
㎡

Luas lantai

0 +
juta

Modal berdaftar

0 +
juta

Kapasiti barisan pengeluaran

0 +
%

Keaslian produk

1

Mengenai Syarikat

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. telah ditubuhkan pada Disember 2004, terletak di No. 88, Jalan Timur Zhongtong, Shuofang, Daerah Xinwu, bandar Wuxi, Wilayah Jiangsu.Ia meliputi kawasan seluas 15000m2.Modal berdaftar ialah 81.5 juta yuan.Ia mempunyai barisan pengeluaran tahunan sebanyak 500 juta peranti kuasa.Terdapat empat makmal untuk ujian ciri peranti, ujian kebolehpercayaan, ujian aplikasi dan analisis kegagalan.Donghai ialah perusahaan berteknologi tinggi yang terlibat dalam pembangunan, reka bentuk, pembungkusan, ujian dan penjualan peranti kuasa semikonduktor dan litar bersepadu.

Pusat Produk

Produk utama ialah: MOSFET, IGBT, diod, dll. Ia digunakan secara meluas dalam pelbagai produk elektronik pengguna, produk elektronik perindustrian, tenaga baharu, Elektronik Automotif Pintar, 5G dan bidang lain.
MOSFET
DIOD
IGBT
MODUL
Kelebihan Kami
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Teknologi profesional
  • Produktiviti yang kukuh
  • Peralatan canggih
  • Penyelidikan inovasi
  • Perkhidmatan selepas jualan yang baik

Produk Panas

DH030N03
DH030N03
Mosfet kuasa mod peningkatan saluran N ini menggunakan reka bentuk teknologi parit termaju, menyediakan Rdson yang sangat baik dan caj pintu rendah.Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
0
0
F7N80
F7N80
Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji.Yang sesuai dengan piawaian RoHS.TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran.Siri TO-220F mematuhi piawaian UL.
0
0
DH100P20D
DH100P20D
VDMOSFET Dipertingkatkan saluran P ini, Teknologi dan reka bentuk parit termaju yang digunakan, memberikan Rdson yang sangat baik dengan cas pintu yang rendah.Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
0
0
G40N120D
G40N120D
ROUM Field Stop Trench IGBT menawarkan kehilangan pensuisan yang rendah, kecekapan tenaga yang tinggi dan kekasaran litar pintas.
Ia direka untuk aplikasi seperti kawalan motor, bekalan kuasa tanpa gangguan(UPS), penyongsang am.
0
0
G50T65D
G50T65D
Menggunakan reka bentuk Parit proprietari DongHai dan teknologi FS termaju, 650V FS IGBT menawarkan prestasi unggul dan pensuisan, kekasaran longsoran tinggi yang mudah dikendalikan secara selari
0
0
MBRF20100CT
MBRF20100CT
Penerus Schottky tab dwi tengah sesuai untuk pelayan Frekuensi Tinggi dan stesen pangkalan telekom SMPS.Dibungkus dalam TO Di dalam pakej, peranti ini menggabungkan penarafan arus tinggi dan volum rendah untuk meningkatkan kedua-dua kebolehpercayaan dan ketumpatan kuasa aplikasi.TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
Diod Ultrafast 60A, 300V Mereka mempunyai kejatuhan voltan ke hadapan yang rendah dan pembinaan satah, silikon nitrida dipasifkan, ditanam ion, epitaxial.Peranti ini bertujuan untuk digunakan sebagai diod stereng/pengapit tenaga dan penerus dalam pelbagai bekalan kuasa pensuisan dan aplikasi pensuisan kuasa lain.Caj tersimpan rendah dan pemulihan ultrapantas dengan ciri pemulihan lembut meminimumkan deringan dan hingar elektrik dalam banyak litar pensuisan kuasa, sekali gus mengurangkan kehilangan kuasa dalam transistor pensuisan
0
0
MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Penerus Schottky tab dwi tengah sesuai untuk pelayan Frekuensi Tinggi dan stesen pangkalan telekom SMPS.Dibungkus dalam TO Di dalam pakej, peranti ini menggabungkan penarafan arus tinggi dan volum rendah untuk meningkatkan kedua-dua kebolehpercayaan dan ketumpatan kuasa aplikasi.TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran.
0
0
DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan VCEsat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah.Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Keluarga produk ini menawarkan persembahan terkini.Ia direka untuk aplikasi frekuensi tinggi di mana kecekapan tinggi dan kebolehpercayaan yang tinggi diperlukan.
0
0
  • KUASA ANGIN
  • Cerucuk Mengecas
  • Elektronik Automotif
  • Elektronik Perindustrian

Pusat Berita

→
11_1365_905.jpg
→
2019黄山宏村两天游.jpg
→
2021年第四届春节跑步.jpg
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Daftarlah untuk buletin kami
  • bersiap sedia untuk masa hadapan
    mendaftar untuk surat berita kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda
    Langgan
Hak Cipta © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologi oleh leadong.com