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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Circa la società

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. è stata fondata nel dicembre 2004, con sede al n. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Copre una superficie di 15.000 mq.Il capitale sociale è di 81,5 milioni di yuan.Ha una linea di produzione annuale di 500 milioni di dispositivi di alimentazione.Sono presenti quattro laboratori per test caratteristici del dispositivo, test di affidabilità, test applicativi e analisi dei guasti.Donghai è un'impresa high-tech impegnata nello sviluppo, progettazione, confezionamento, test e vendita di dispositivi di potenza a semiconduttore e circuiti integrati.

Centro prodotti

I prodotti principali sono: MOSFET, IGBT, diodi, ecc. È ampiamente utilizzato in vari prodotti elettronici di consumo, prodotti elettronici industriali, nuova energia, elettronica automobilistica intelligente, 5G e altri campi.
MOSFET
DIODO
IGBT
MODULO
Il nostro vantaggio
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tecnologia professionale
  • Forte produttività
  • Attrezzature avanzate
  • Ricerca sull'innovazione
  • Buon servizio post-vendita

Prodotti caldi

DH030N03
DH030N03
Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
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F7N80
F7N80
Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga.Che è conforme allo standard RoHS.TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno.La serie TO-220F è conforme agli standard UL.
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DH100P20D
DH100P20D
Questi VDMOSFET avanzati a canale P, utilizzati con tecnologia e design avanzati di trincea, forniscono un Rdson eccellente con una bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
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G40N120D
G40N120D
Gli IGBT Field Stop Trench ROUM offrono basse perdite di commutazione, elevata efficienza energetica e robustezza al cortocircuito.
È progettato per applicazioni quali controllo motori, gruppi di continuità (UPS), inverter generali.
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G50T65D
G50T65D
Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
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MBRF20100CT
MBRF20100CT
Raddrizzatore Schottky con doppia linguetta centrale adatto per server ad alta frequenza e stazioni base per telecomunicazioni SMPS.Confezionato in TO All'interno del contenitore, questo dispositivo combina un'elevata corrente nominale e un volume ridotto per migliorare sia l'affidabilità che la densità di potenza dell'applicazione.TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno.
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MUR6030NCA
MUR6030NCA
Diodi ultraveloci da 60 A, 300 V Hanno una bassa caduta di tensione diretta e sono di costruzione epitassiale planare, passivata al nitruro di silicio, impiantata con ioni.Questi dispositivi sono destinati all'uso come diodi e raddrizzatori di controllo/bloccaggio dell'energia in una varietà di alimentatori a commutazione e altre applicazioni di commutazione di potenza.La bassa carica immagazzinata e il recupero ultrarapido con caratteristiche di recupero graduale riducono al minimo il ronzio e il rumore elettrico in molti circuiti di commutazione di potenza, riducendo così la perdita di potenza nel transistor di commutazione
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MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Raddrizzatore Schottky con doppia linguetta centrale adatto per server ad alta frequenza e stazioni base per telecomunicazioni SMPS.Confezionato in TO All'interno del contenitore, questo dispositivo combina un'elevata corrente nominale e un volume ridotto per migliorare sia l'affidabilità che la densità di potenza dell'applicazione.TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno.
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DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
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DCC040M120A2
DCC040M120A2
Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia.È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità.
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  • ENERGIA EOLICA
  • Pila di ricarica
  • Elettronica automobilistica
  • Elettronica industriale

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