Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usaram design de tecnologia de trincheira avançada, forneceram excelente Rdson e baixa carga de portão.O que está de acordo com o padrão RoHS.

Esses vdmosfets aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche.O que está de acordo com o padrão RoHS.TO-220F fornece tensão de isolamento nominal de 2.000 V RMS de todos os três terminais ao dissipador de calor externo.A série TO-220F está em conformidade com os padrões UL.

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal P, usados ​​​​com tecnologia e design de trincheira avançados, fornecem excelente Rdson com baixa carga de portão.O que está de acordo com o padrão RoHS.

Os IGBTs ROUM Field Stop Trench oferecem baixas perdas de comutação, alta eficiência energética e robustez contra curto-circuito.
Ele é projetado para aplicações como controle de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e inversores em geral.

Usando o design Trench proprietário da DongHai e a avançada tecnologia FS, o IGBT 650V FS oferece desempenho superior e de comutação, alta robustez em avalanches, fácil operação paralela

Retificador Schottky com guia central dupla adequado para servidores de alta frequência e estações base de telecomunicações SMPS.Embalado em TO Dentro da embalagem, este dispositivo combina alta corrente e baixo volume para aumentar a confiabilidade e a densidade de potência da aplicação.TO-220F fornece tensão de isolamento nominal de 2.000 V RMS de todos os três terminais ao dissipador de calor externo.

Diodos ultrarrápidos de 60A, 300V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons.Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direção/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia.Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de potência no transistor de comutação

Retificador Schottky com guia central dupla adequado para servidores de alta frequência e estações base de telecomunicações SMPS.Embalado em TO Dentro da embalagem, este dispositivo combina alta corrente e baixo volume para aumentar a confiabilidade e a densidade de potência da aplicação.TO-220F fornece tensão de isolamento nominal de 2.000 V RMS de todos os três terminais ao dissipador de calor externo.

Esses transistores bipolares de porta isolada usaram design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceram excelente VCEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta.O que está de acordo com o padrão RoHS.

Esta família de produtos oferece desempenho de última geração.Ele foi projetado para aplicações de alta frequência onde são necessárias alta eficiência e alta confiabilidade.