מחויב להפוך למנהיג ב

כּוֹחַ

מוליכים למחצה

צפה עוד

לתרום לחיים ירוקים ופיתוח בר-קיימא

חדשנות, יושרה, התלהבות, מסירות

צפה עוד

IGBT צינור /מודול יחיד, SIC DIODE /MOS, SGT MOS, Trench-MOS, Super Junction MOS, ווסת מתח בן שלושה מסופי, FRD, SBD, SCR, וכו '.

צפה עוד

T0-220C, TO-220F, TO-220M, TO-3PN, TO-247, TO-251, T0-252, T0-263, אגרה, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8, TO-92, וכו '.

מוצרים עיקריים

חבילות עיקריות

㎡

שטח רצפה

מִילִיוֹן

הון רשום

מִילִיוֹן

קיבולת קו ייצור

יַקרָן

אותנטיות מוצר

פרופיל חברה

ג'יאנגסו דונחאי Semiconductor Co., בע'מ הוקמה בדצמבר 2004, הממוקמת במספר 88, דרך ג'ונגטונג איסט, שופנג, מחוז שינווו, ווקס סיטי, מחוז ג'יאנגסו. הוא משתרע על שטח של 15000 מ'ר. ההון הרשום הוא 81.5 מיליון יואן. יש לו קו ייצור שנתי של 500 מיליון מכשירי חשמל. ישנן ארבע מעבדות לבדיקה מאפייני מכשירים, מבחן אמינות, בדיקת יישומים וניתוח כישלונות. דונחאי הוא מיזם היי-טק העוסק בפיתוח, תכנון, אריזה, בדיקות ומכירות של מכשירי כוח מוליכים למחצה ומעגלים משולבים.

קרא עוד

סקירה כללית של החברה

מרכז מוצרים

אנו מציעים פתרון מוצר מקיף של לקוחות, כולל LV-MV MOSFET, HV MOSFET, IGBT Single/Module, FRD/SBD, SIC DIODE/MOS/MODULE, GAN ו- IPM.

MOSFET

דיודה

IGBT

מודול IGBT

Sic

רגולטור מתח IC

כל המוצרים

מִקצוֹעִי

טֶכנוֹלוֹגִיָה

חָזָק

פִּריוֹן

מִתקַדֵם

צִיוּד

חדשנות

מֶחקָר

מכירות טובות

שֵׁרוּת

מוליכים למחצה מוכרים חמים ומעגלים משולבים

טכנולוגיית ייצור מתקדמת, תנאי תהליכים טובים יותר ומבני מכשירים מותאמים דק כדי לייעל באופן רציף את עמידות ההולכה של המוצר, למתג מאפייני, אמינות ולקדם ברציפות איטרציה של מוצרים.

מוצרים מוצגים

למידע נוסף

מצב שיפור N-CHANNEL POWER MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

למידע נוסף

160A 30V N-CHANNEL MODERETE MODE POWER MOSFET DH020N03P 5X6-8

למידע נוסף

105A 68V N-channel מצב שיפור כוח MOSFET DHS055N07 TO-220C

למידע נוסף

85A 80V N-channel מצב שיפור כוח כוח MOSFET DH075N08 TO-220C

למידע נוסף

100A 70V N-CHANNEL MODERETE MODE POWER MOSFET DHS043N07P DFN5X6

למידע נוסף

120A 60V N-CHANNEL MODERETE MODE POWER MOSFET DH065N06 TO-220C

למידע נוסף

50A 650V Trenchstop מבודד שער טרנזיסטור דו קוטבי G50T65D TO-3PN

למידע נוסף

120A 85V N-channel מצב שיפור כוח כוח MOSFET DHS045N85 TO-220C

למידע נוסף

47A 100V N-channel מצב שיפור כוח כוח MOSFET TO-220C

למידע נוסף

14A 650V N-CHANNEL MODERETE MODE

למידע נוסף

8A 650V N-channel מצב שיפור כוח כוח MOSFET F8N65 T-220F

למידע נוסף

10A 600V דיודה לשחזור מהיר MURD1060CT TO-252

למידע נוסף

170A 40V N-channel מצב שיפור כוח כוח MOSFET DHS020N04P DFN5*6

למידע נוסף

Trenchstop שער מבודד טרנזיסטור דו קוטבי 40A 1200V G40N120D TO-247

למידע נוסף

175A 80V N-CHANNEL MODERETE MODE POWER MOSFET DHS035N88 TO-220C

למידע נוסף

80A 40V N-CHANNEL MODERETE MODE

למידע נוסף

7.6A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

למידע נוסף

100A 40V N-CHANNEL MODERETE MODE MOST MOSFET DHS021N04P DFN5X6

למידע נוסף

מצב שיפור N-CHANNEL POWER MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C

למידע נוסף

240A 85V N-CHANNEL MODERETE MODE

למידע נוסף

פתרונות מערכת בקרת חשמל חכמה מוליכים למחצה

אלקטרוניקה צרכנית

תַעֲשִׂיָה

אנרגיה חדשה

מְכוֹנִית

צפה במור

אולם תצוגה דיגיטלי

אם אתה רוצה ללמוד עוד על יכולות הייצור שלנו, אתה יכול ללחוץ על האווטאר בסצינה, או לקבל את ההזמנה שלי!

צרכי הלקוח הם הצרכים שלנו

מהנדס 24 שעות מקוון הצע תמיכה טכנית
מלאי רב כדי להבטיח משלוח מהיר
איכות טובה לשיתוף פעולה לטווח הארוך
מחיר סביר לעלות נמוכה יותר

לברר עכשיו

מרכז חדשות

מוליך למחצה של דונחאי מעצים עתיד ירוק יותר ב- SNEC 2025 עם פתרונות כוח מתקדמים

ייצור הכוח הפוטו -וולטאי הבינלאומי ה -18 של SNEC ותערוכת אנרגיה חכמה 2025 הסתיימה בהצלחה ב- 13 ביוני 2025, במרכז התערוכות והכנסים הלאומי בשנגחאי. כאחד האירועים המשפיעים ביותר בתעשיית האנרגיה המתחדשת העולמית, SNEC השנה משכה אלפי אנשי אנרגיה, מנהיגי התעשייה וספקי טכנולוגיה חדשניים מרחבי העולם.

13 ביוני 2025

על מה עומד IGBT באלקטרוניקה?

טכנולוגיית IGBT ממלאת תפקיד מכריע באלקטרוניקה חשמל מודרנית, ומאפשרת שליטה יעילה ועוצמה גבוהה במגוון רחב של יישומים. מנהגי מנוע תעשייתיים למערכות אנרגיה מתחדשת, הבנת מה IGBT עומד באלקטרוניקה הוא המפתח לבניית פתרונות אמינים וביצועים גבוהים. מאמר זה מסביר את המשמעות של IGBT ובוחן את השימושים שלו במכשירים כמו UPS מהפך, מכונות ריתוך, מערכות פוטו -וולטאיות וממירי תדרים. ננתח גם כיצד מוצרים כמו 650V IGBT יחיד, 1200V IGBT יחיד, 50A 650V IGBT יחיד, 75A 650V IGBT יחיד ו- 40A 1200V IGBT יחיד מתאים ליישומים אלה.

10 ביוני 2025

מדוע משתמשים ב- IGBT במודול כוח?

ההבנה מדוע IGBT משמשת במודול כוח היא המפתח לשליטה באלקטרוניקת חשמל מודרנית. מודולי IGBT הם רכיבים בסיסיים במערכות התעשייה, המתחדשות והרכב של ימינו. הם מאפשרים מיתוג יעיל, טיפול במתח גבוה וביצועים אמינים ביישומים מגוונים, כולל מכונות ריתוך, מערכות פוטו -וולטאיות, UPS מהפך, ממירי תדרים ועוד.

03 ביוני 2025