丨
Angajat să devin lider în
PUTERE
SEMICONDUCTORI
Vezi mai mult
banner2
S-A ANGAJAT SĂ 
DEVENIT LIDER ÎN 
SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
ÎNTREPRINDEREA GAZELLE
Vezi mai mult
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
0 +
㎡

Suprafata

0 +
milion

Capital inregistrat

0 +
milion

Capacitatea liniei de productie

0 +
%

Autenticitatea produsului

1

Despre companie

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. a fost înființată în decembrie 2004, cu sediul la nr. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, districtul Xinwu, orașul Wuxi, provincia Jiangsu.Se intinde pe o suprafata de 15000m2.Capitalul social este de 81,5 milioane de yuani.Are o linie de producție anuală de 500 de milioane de dispozitive de alimentare.Există patru laboratoare pentru testarea caracteristicilor dispozitivului, testul de fiabilitate, testarea aplicației și analiza defecțiunilor.Donghai este o întreprindere de înaltă tehnologie angajată în dezvoltarea, proiectarea, ambalarea, testarea și vânzarea dispozitivelor de putere cu semiconductori și a circuitelor integrate.

Centru de produse

Principalele produse sunt: ​​MOSFET, IGBT, diode, etc. Este utilizat pe scară largă în diverse produse electronice de larg consum, produse electronice industriale, energie nouă, Electronică Auto Inteligentă, 5G și alte domenii.
MOSFET
DIODA
IGBT
MODUL
Avantajul nostru
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tehnologie profesională
  • Productivitate puternică
  • Echipamente avansate
  • Cercetare de inovare
  • Bun serviciu post-vânzare

Produse fierbinți

DH030N03
DH030N03
Aceste mosfet-uri de putere cu modul de îmbunătățire N-canal au folosit un design avansat de tehnologie de șanț, oferind un Rdson excelent și o încărcare scăzută.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
0
0
F7N80
F7N80
Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.TO-220F oferă o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern.Seria TO-220F respectă standardele UL.
0
0
DH100P20D
DH100P20D
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal P, au folosit tehnologie și design avansat de șanț, oferă un Rdson excelent cu încărcare scăzută.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
0
0
G40N120D
G40N120D
IGBT-urile ROUM Field Stop Trench oferă pierderi reduse de comutare, eficiență energetică ridicată și rezistență la scurtcircuit.
Este conceput pentru aplicații precum controlul motoarelor, surse de alimentare neîntrerupte (UPS), invertoare generale.
0
0
G50T65D
G50T65D
Folosind designul propriu DongHai Trench și tehnologia avansată FS, 650V FS IGBT oferă performanțe superioare și de comutare, rezistență ridicată la avalanșă, funcționare ușoară în paralel
0
0
MBRF20100CT
MBRF20100CT
Redresor Schottky cu filă centrală duală, potrivit pentru serverul de înaltă frecvență și stația de bază de telecomunicații SMPS.Ambalat în TO În interiorul pachetului, acest dispozitiv combină un curent nominal ridicat și un volum redus pentru a îmbunătăți atât fiabilitatea, cât și densitatea de putere a aplicației.TO-220F oferă o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
Diode ultrarapide 60A, 300V Au o cădere de tensiune directă scăzută și sunt de construcție plană, pasivată cu nitrură de siliciu, implantată cu ioni, epitaxială.Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/strângere a energiei și redresoare într-o varietate de surse de alimentare cu comutare și alte aplicații de comutare a puterii.Încărcarea lor scăzută stocată și recuperarea ultrarapidă cu caracteristici de recuperare ușoară minimizează soneria și zgomotul electric în multe circuite de comutare a puterii, reducând astfel pierderea de putere în tranzistorul de comutare
0
0
MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Redresor Schottky cu filă centrală duală, potrivit pentru serverul de înaltă frecvență și stația de bază de telecomunicații SMPS.Ambalat în TO În interiorul pachetului, acest dispozitiv combină un curent nominal ridicat și un volum redus pentru a îmbunătăți atât fiabilitatea, cât și densitatea de putere a aplicației.TO-220F oferă o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern.
0
0
DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Aceste tranzistoare bipolare cu poartă izolată au folosit un design avansat de tehnologie de șanț și Fieldstop, au oferit VCEsat și viteză de comutare excelente, încărcare scăzută a porții.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Această familie de produse oferă performanțe de ultimă oră.Este proiectat pentru aplicații de înaltă frecvență în care sunt necesare eficiență ridicată și fiabilitate ridicată.
0
0
  • PUTERE EOLIANA
  • Grămadă de încărcare
  • Electronică Auto
  • Electronică industrială

Centrul de știri

→
11_1365_905.jpg
→
2019黄山宏村两天游.jpg
→
2021年第四届春节跑步.jpg
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru newsletter-ul nostru
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Abonati-va
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com