未命名 (1) (8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 12V-300V N MOS » Mod de îmbunătățire a canalelor N-Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

încărcare

Distribuie la:
Buton de partajare Facebook
Buton de partajare pe Twitter
Buton de partajare a liniei
Buton de partajare WeChat
Butonul de partajare LinkedIn
Butonul de partajare Pinterest
Butonul de partajare WhatsApp
Buton de partajare Sharethis

Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat designul tehnologiei avansate de poartă de spite, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
Disponibilitate:
cantitate:
Întreba Adăugați la coș

Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET 180A 40V


1 Descriere 

Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat designul tehnologiei avansate de poartă de spite, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 


2 caracteristici 

● comutare rapidă 

● Rezistență scăzută 

● Încărcare scăzută a porții 

● Curent de avalanșă ridicat 

● Capacități de transfer invers scăzut 

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplicații 

● Aplicații de comutare a puterii 

● Sistem de gestionare a invertorului 

● Instrumente electrice

● Electronică auto

VDSS RDS (ON) (TIP) Id
40V 1,7mΩ 180a


descărcare Donghai+DHS020N04 & DHS020N04E+fișă de date+v2.0.pdf

Anterior: 
Următorul: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail
    Depune
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com