未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS » n-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET 180A 40V DHS020NN04 TO-220C

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 180A 40V DHS020NN04 TO-220C

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid Advanced Splite Gate'i tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.
Kättesaadavus:
kogus:
Küsima Lisage korvi

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 180A 40V


1 kirjeldus 

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid Advanced Splite Gate'i tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


2 funktsiooni 

● Kiire vahetamine 

● Madal takistus 

● Madala väravatasu 

● Kõrge laviini vool 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust 

● Toitelülitusrakendused 

● Inverteri haldussüsteem 

● Elektritööriistad

● Autotööstuse elektroonika

VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
40 V 1,7m Ω 180A


alla laadima Donghai+DHS020N04 & DHS020N04E+andmeleht+v2.0.pdf

Eelmine: 
Järgmine: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com