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N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 bis 220c

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 40V


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 1,7 mΩ 180a


herunterladen Donghai+DHS020N04 & DHS020N04E+Datenblatt+v2.0.pdf

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