丨
Wir sind bestrebt, führend zu werden
LEISTUNG
HALBLEITER
Mehr sehen
Banner2
VERPFLICHTET 
WERDEN SIE FÜHREND IN 
LEISTUNGSHALBLEITER
GAZELLE-UNTERNEHMEN
Mehr sehen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
0 +
㎡

Grundfläche

0 +
Million

Grundkapital

0 +
Million

Kapazität der Produktionslinie

0 +
%

Produktauthentizität

1

Über das Unternehmen

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 mit Sitz in Nr. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu, gegründet.Es umfasst eine Fläche von 15000 m2.Das Grundkapital beträgt 81,5 Millionen Yuan.Das Unternehmen verfügt über eine jährliche Produktionslinie von 500 Millionen Stromversorgungsgeräten.Es gibt vier Labore für Gerätecharakteristiktests, Zuverlässigkeitstests, Anwendungstests und Fehleranalysen.Donghai ist ein High-Tech-Unternehmen, das sich mit der Entwicklung, Konstruktion, Verpackung, Prüfung und dem Vertrieb von Halbleiter-Leistungsgeräten und integrierten Schaltkreisen beschäftigt.

Produktcenter

Die Hauptprodukte sind: MOSFET, IGBT, Diode usw. Es wird häufig in verschiedenen Unterhaltungselektronikprodukten, Industrieelektronikprodukten, neuen Energien, intelligenter Automobilelektronik, 5G und anderen Bereichen eingesetzt.
MOSFET
DIODE
IGBT
MODUL
Unser Vorteil
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Professionelle Technologie
  • Starke Produktivität
  • Fortschrittliche Ausrüstung
  • Innovationsforschung
  • Guter After-Sales-Service

heiße Produkte

DH030N03
DH030N03
Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
0
0
F7N80
F7N80
Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht.Was dem RoHS-Standard entspricht.TO-220F bietet eine Isolationsspannung von 2000 V RMS von allen drei Anschlüssen zum externen Kühlkörper.Die TO-220F-Serie entspricht den UL-Standards.
0
0
DH100P20D
DH100P20D
Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
0
0
G40N120D
G40N120D
ROUM Field Stop Trench IGBTs bieten geringe Schaltverluste, hohe Energieeffizienz und Kurzschlussfestigkeit.
Es ist für Anwendungen wie Motorsteuerung, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) und allgemeine Wechselrichter konzipiert.
0
0
G50T65D
G50T65D
Mit dem proprietären Trench-Design und der fortschrittlichen FS-Technologie von DongHai bietet der 650-V-FS-IGBT überlegene Schaltleistungen, hohe Avalanche-Robustheit und einfachen Parallelbetrieb
0
0
MBRF20100CT
MBRF20100CT
Schottky-Gleichrichter mit zwei Mittellaschen, geeignet für Hochfrequenzserver und Telekommunikations-Basisstationen.Verpackt in TO. Im Inneren des Gehäuses kombiniert dieses Gerät einen hohen Nennstrom und ein geringes Volumen, um sowohl die Zuverlässigkeit als auch die Leistungsdichte der Anwendung zu verbessern.TO-220F bietet eine Isolationsspannung von 2000 V RMS von allen drei Anschlüssen zum externen Kühlkörper.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
Ultraschnelle Dioden mit 60 A und 300 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion.Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen.Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor
0
0
MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Schottky-Gleichrichter mit zwei Mittellaschen, geeignet für Hochfrequenzserver und Telekommunikations-Basisstationen.Verpackt in TO. Im Inneren des Gehäuses kombiniert dieses Gerät einen hohen Nennstrom und ein geringes Volumen, um sowohl die Zuverlässigkeit als auch die Leistungsdichte der Anwendung zu verbessern.TO-220F bietet eine Isolationsspannung von 2000 V RMS von allen drei Anschlüssen zum externen Kühlkörper.
0
0
DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung.Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind.
0
0
  • WINDKRAFT
  • Ladesäule
  • Automobilelektronik
  • Industrieelektronik

Nachrichtenzentrum

→
11_1365_905.jpg
→
2019黄山宏村两天游.jpg
→
2021年第四届春节跑步.jpg
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten
    Abonnieren
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com