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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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6A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 To-220-2l 650 V 6a Dcgt06d65g4_datasheet_v1.0.pdf
50A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHD50N03 bis 252B DHD50N03 To-252b 30V 50a Dhb50n03 & dhd50n03_datasheet_v1.0.pdf
4,5A 650 V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C To-220f 650 V 4,5a 英文版 f5n65c 技术规格书 rev1.1.pdf
600A 1200V Halbbrückenmodul DGB600H120L2T 62 mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600a DGB600H120L2T.PDF
50A 1200V Halbbrücke IGBT -Modul DHG50N120D 34 mm DHG50N120D 34 mm 1200V 50a DHG50N120D.PDF
75A 1200V Halbbrücke IGBT -Modul DGA75H120M2T 34 mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75a DGA75H120M2T.PDF
20A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 To-247-2l 650 V 20a Gerät DCCT20D65G4 Spezifikation.pdf
100A 1200V Halbbrücke IGBT -Modul DGA100H120M2T 34 mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100a DGA100H120M2T.PDF
4A 1500V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F To-3Pf 1500V 4a 英文版 dh4n150f ​​技术规格书 .pdf
4A 650V Sic Schottky Barrier Diode DCD04D65G4 To-252b 650 V 4a Gerät DCD04D65G4 Spezifikation.pdf
7A 650V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 7N65 bis 220c 7n65 To-220c 650 V 7a 英文版 7N65 技术规格书 .pdf
15A 650 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 15N65 bis 220c 15n65 To-220c 650 V 15a
90A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 To-220c 40V 90a Gerät DH045N04 Spezifikation.pdf
110A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E To-263 60 V 110a Gerät+DH066N06+Spezifikation+Rev.2.0.pdf
180a 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E To-263 60 V 180a  DHS025N06 & DHS025N06E_DATASEET_V2.0.PDF
238A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 To-220c 60 V 238a Gerät DH026N06 Spezifikation.pdf
120A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 To-220c 40V 120a Gerät DH033N04 Spezifikation.pdf
60A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04p DFN5X6 40V 60a Gerät DH065N04P -Spezifikation.pdf
180A 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 To-220c 40V 180a Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+Datenblatt+v3.0.pdf
20A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 To-247 650 V 20a Gerät DCC20D65G4 Spezifikation.pdf

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