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175A 80V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS035N88 TO-220C

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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175A 80V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
80V 3,6 mΩ 175a


herunterladen Donghai_dhs035n88 & dhs035n88e & dhs035n88i_datasheet_v2.0.pdf

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