geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » 175A 80V N-Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet DHS035N88 TO-220C

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

175A 80V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS035N88 TO-220C

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:

175A 80V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama 


Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik

● Hızlı anahtarlama

● Direnç düşük

● Düşük kapı şarjı 

● Yüksek çığ akımı 

● Düşük ters transfer kapasitansları

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi


3 Uygulama 

● SMP'lerde senkron düzeltme 

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre 

● Elektrikli aletler 

● UPS 

● Motor kontrolü

VDSS RDS (ON) (tip) İD
80V 3.6mΩ 175a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun