Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır.RoHS standardına uygundur.

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir.RoHS standardına uygundur.TO-220F, üç terminalin tamamından harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar.TO-220F serisi UL standartlarına uygundur.

Bu P-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılarak, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson sağlar.RoHS standardına uygundur.

ROUM Field Stop Hendek IGBT'leri düşük anahtarlama kayıpları, yüksek enerji verimliliği ve kısa devre dayanıklılığı sunar.
Motor kontrolü, kesintisiz güç kaynakları (UPS), genel invertörler gibi uygulamalar için tasarlanmıştır.

DongHai'nin tescilli Trench tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün ve anahtarlama performansları, yüksek çığ dayanıklılığı, kolay paralel çalışma sunar

Yüksek Frekanslı sunucu ve telekom baz istasyonu SMPS'ye uygun çift merkezli sekmeli Schottky doğrultucu.TO'da paketlenmiştir Paketin içinde bu cihaz, uygulamanın hem güvenilirliğini hem de güç yoğunluğunu artırmak için yüksek akım değerini ve düşük ses seviyesini birleştirir.TO-220F, üç terminalin tamamından harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar.

60A, 300V Ultra Hızlı Diyotlar Düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptirler ve düzlemsel, silikon nitrürle pasifleştirilmiş, iyon yerleştirilmiş, epitaksiyel yapıya sahiptirler.Bu cihazlar, çeşitli anahtarlamalı güç kaynaklarında ve diğer güç anahtarlama uygulamalarında enerji yönlendirme/sıkma diyotları ve doğrultucular olarak kullanılmak üzere tasarlanmıştır.Düşük depolanmış şarjları ve yumuşak kurtarma özelliklerine sahip ultra hızlı geri kazanımları, birçok güç anahtarlama devresindeki çınlamayı ve elektriksel gürültüyü en aza indirir, böylece anahtarlama transistöründeki güç kaybını azaltır.

Yüksek Frekanslı sunucu ve telekom baz istasyonu SMPS'ye uygun çift merkezli sekmeli Schottky doğrultucu.TO'da paketlenmiştir Paketin içinde bu cihaz, uygulamanın hem güvenilirliğini hem de güç yoğunluğunu artırmak için yüksek akım değerini ve düşük ses seviyesini birleştirir.TO-220F, üç terminalin tamamından harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar.

Bu Yalıtımlı Geçit Bipolar Transistörü, gelişmiş hendek ve Fieldstop teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel VCEsat ve anahtarlama hızı ve düşük geçit şarjı sağlamıştır.RoHS standardına uygundur.

Bu ürün ailesi en gelişmiş performansı sunar.Yüksek verimlilik ve yüksek güvenilirliğin gerekli olduğu yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır.