100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B

100V/15mΩ/50A N-MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş SGT hendek teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

• Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu

3 Uygulama

• Motor Kontrolü ve Sürücü 

• Pil Yönetim Sistemi için Şarj/Deşarj 

• SMPS için Senkron Doğrultucu

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
100V	15mΩ	50A