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100 V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Sgt-Graben-Technologiedesign und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Die mit der ROHS -Standardverfügbarkeit übereinstimmen
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100 V/15mΩ/50A N-MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Sgt-Graben-Technologiedesign und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform


3 Anwendungen

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem 

• Synchroner Gleichrichter für SMPs


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 15m Ω 50a


herunterladen Gerät DHS180N10L Spezifikation.pdf

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