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100V/15MΩ/50A N-MOSFET TO-252B

Estos MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera SGT avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con la
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100V/15MΩ/50A N-MOSFET


1 descripción

Estos MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera SGT avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS


3 aplicaciones

• Control y unidad del motor 

• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería 

• Rectificador sincrónico para SMPS


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 15mΩ 50A


descargar Dispositivo DHS180N10L Especificación.PDF

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