puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
Líneas de productos seleccionadas:

Todos los productos

de imagen de modelo Paquete V Una de la hoja de datos de detalles consulta Agregar a la canasta
50A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW To-247 650V 50A _DataSheet (1) (1) .pdf
36A 1200V N-canal SIC MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 To-247-4l 1200V 36A Dispositivo DCC080M120A Especificación.PDF
500V/3A Medio puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb07hb50mfn ESOP-9 500V 7A Dpqb07hb50mfn_dataSheet_v1.0.pdf
90A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 A 252b 80V 90A Dispositivo DHD80N08 Especificación.PDF
2A 650V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 A 252b 650V 2A 英文版 D2N65 技术规格书 .pdf
500V/3A Medio puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb03hb50mfn ESOP-9 500V 3A Dpqb03hb50mfn_dataSheet_v1.0.pdf
170A 40V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Dispositivo DHS020N04P Especificación Rev.2.0.pdf
500V/3A Medio puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb05hb50mfn ESOP-9 500V 5A Dpqb05hb50mfn_dataSheet_v1.0.pdf
75A 1200V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75a _datasheet-v1.2.pdf
500V/3A Medio puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb04hb50mf ESOP-9 500V 4A Dpqb04hb50mf_dataSteet_v1.0.pdf
12a 60V N-canal Modo de mejora MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 A 252b 60V 12A Dispositivo D12N06 Especificación (TO-252B) .pdf
40A 1200V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar G40N120D TO-247 G40N120D To-247 1200V 40A G40N120D - Dataheet.pdf
500V/3A Medio puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb04hb50mfn ESOP-9 500V 4A Dpqb04hb50mfn_dataSheet_v1.0.pdf
500V/3A Medio puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb03hb50mf ESOP-9 500V 3A Dpqb03hb50mf_dataSteet_v1.0.pdf
240A 85V Modo de mejora del canal Napa MOSFET MOSFET DHS020N88U PALLO DE POLLO DHS020N88U PEAJE 85V 285a Dhs020n88u_dataSheet_v2.0.pdf
175A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 A 220c 80V 175a Dhs035n88 y dhs035n88e & dhs035n88i_dataSheet_v2.0.pdf
15a 40V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 A 252b -40V -30A AOD413 y AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
500V/3A Medio puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb07hb50mf ESOP-9 500V 7A Dpqb07hb50mf_dataSteet_v1.0.pdf
500V/4A Medio puente IPM DPQA04HB50MF SOP-11 Dpqa04hb50mf SOP-11 500V 4A Dpqa04hb50mf_dataSteet_v1.0.pdf
33A 60V N-canal Modo de mejora MOSFET DH240N06LD TO-252B Dh240n06ld A 252b 60V 33a Dispositivo DH240N06L Especificación Rev.2.0.pdf

Video de productos

  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada