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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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6A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCGT06D65G4 a 220-2L Dcgt06d65g4 A 220-2L 650V 6A Dcgt06d65g4_dataSteet_v1.0.pdf
Modo de mejora del canal N 50A 30V MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 A 252b 30V 50A Dhb50n03 y dhd50n03_dataSheet_v1.0.pdf
4.5A 650V Modo de mejora del canal MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C A 220F 650V 4.5a 英文版 F5N65C 技术规格书 Rev1.1.pdf
600A 1200V Módulo de medio puente DGB600H120L2T 62 mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.PDF
Módulo IGBT de Half Bridge de 1200V 1200V DHG50N120D 34 mm DHG50N120D 34 mm 1200V 50A Dhg50n120d.pdf
75A 1200V Half Bridge IGBT Módulo DGA75H120M2T 34 mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75a DGA75H120M2T.PDF
20A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Dispositivo DCCT20D65G4 Especificación.PDF
Módulo IGBT de Half Bridge de 1200V 1200V DGA100H120M2T 34 mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.PDF
4A 1500V Modo de mejora del canal MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F A 3pf 1500V 4A 英文版 DH4N150F 技术规格书 .pdf
4A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCD04D65G4 A 252b 650V 4A Dispositivo DCD04D65G4 Especificación.PDF
7A 650V Modo de mejora del canal MOSFET 7N65 a 220C 7n65 A 220c 650V 7A 英文版 7n65 技术规格书 .pdf
15A 650V N-Canal Modo de mejora MOSFET 15N65 a 220C 15n65 A 220c 650V 15A
90A 40V Modo de mejora del canal MOSFET DH045N04 a 220C DH045N04 A 220c 40V 90A Dispositivo DH045N04 Especificación.PDF
110A 60V N-Canal Modo de mejora MOSFET DH066N06E TO-263 Dh066n06e A 263 60V 110A Dispositivo+DH066N06+Especificación+Rev.2.0.pdf
180A 60V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E A 263 60V 180A  Dhs025n06 y dhs025n06e_dataSheet_v2.0.pdf
238A 60V Modo de mejora del canal MOSFET DH026N06 a 220C DH026N06 A 220c 60V 238a Dispositivo DH026N06 Especificación.PDF
120A 40V Modo de mejora del canal MOSFET DH033N04 a 220C DH033N04 A 220c 40V 120a Dispositivo DH033N04 Especificación.PDF
60A 40V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P Dfn5x6 40V 60A Dispositivo DH065N04P Especificación.PDF
180A 40V Modo de mejora del canal MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 A 220c 40V 180A Donghai+DHS021N04 y DHS021N04E+Hoja de datos+v3.0.pdf
20A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 To-247 650V 20A Dispositivo DCC20D65G4 Especificación.PDF

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