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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 2A 650V D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V FAIBLE VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
transistor bipolaire G50T65LBBW TO-247 de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V G50T65LBBW TO-247 650V 50A G50T65LBBW__fiche technique(1)(1).pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 36A 1200V DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Spécifications de l'appareil DCC080M120A.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Spécifications de l'appareil DCCT20D65G4.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 170A, 40V, DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Appareil DHS020N04P Spécification Rev.2.0.pdf
20A 200V FAIBLE VF SchottkyBarrierDiode MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT TO-220C 200V 20A Description du produit MBR20R200CT.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 80A 40V DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Spécification de l'appareil DH065N04.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A DGC75F120M2__fiche technique-V1.2.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 12A 60V D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Spécification du dispositif D12N06 (TO-252B).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 240A 85V DHS020N88U, paquet TOLL DHS020N88U SONNER 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 175A, 80V, DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal P 15A 40V AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance F4N70 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 4A 700V F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 7A 600V F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
MOSFET de puissance F7N80 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 7A 800V F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
MOSFET de puissance F4N65 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 4A 650V F4N65 TO-220F 650V 4A Fichier F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 120A 1200V DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 205A, 85V, DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Spécification de l'appareil DHS025N88.pdf
Diode barrière Schottky SiC 25A 1700V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Spécifications de l'appareil DCCT25D170G1.pdf

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