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6A 650V SIC Schottky Barrier Diodo DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650v 6a Dcgt06d65g4_datasheet_v1.0.pdf
50A 30V N-channel Modalità di miglioramento Mosfet DHD50N03 TO-252B DHD50N03 To-252B 30V 50a Dhb50n03 e dhd50n03_datasheet_v1.0.pdf
4.5A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Mosfet F5N65C TO-220F F5N65C To-220f 650v 4.5a 英文版 F5N65C 技术规格书 Rev1.1.pdf
600A 1200V Modulo a metà bridge DGB600H120L2T 62MM DGB600H120L2T 62 mm 1200v 600a DGB600H120L2T.PDF
Modulo IGBT da 50A 1200v Half Bridge DHG50N120D 34MM DHG50N120D 34 mm 1200v 50a Dhg50n120d.pdf
Modulo IGBT 75A 1200v Half Bridge DGA75H120MT 34MM DGA75H120MT 34 mm 1200v 75a Dga75h120m2t.pdf
20A 650V SIC Schottky Barrier Diodo DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 To-247-2l 650v 20A Dispositivo DCCT20D65G4 Specifica.pdf
Modulo IGBT da 100A 1200v Half Bridge DGA100H120MT 34mm DGA100H120MT 34 mm 1200v 100a DGA100H120M2T.PDF
4A 1500V N-channel Modalità di miglioramento Potenza Mosfet DH4N150F TO-3PF Dh4n150f To-3pf 1500v 4a 英文版 dh4n150f ​​技术规格书 .pdf
4A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCD04D65G4 To-252B 650v 4a Dispositivo DCD04D65G4 Specification.pdf
7A 650V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza 7N65 TO-220C 7n65 To-220c 650v 7a 英文版 7n65 技术规格书 .pdf
15A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET 15N65 TO-220C 15n65 To-220c 650v 15a
90A 40V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet DH045N04 TO-220C DH045N04 To-220c 40v 90a Dispositivo DH045N04 Specification.pdf
110A 60V N-Cannel Modalità di miglioramento Potenza Mosfet DH066N06E TO-263 DH066N06E To-263 60V 110a Dispositivo+DH066N06+Specifica+Rev.2.0.pdf
180A 60V Modalità di miglioramento N-channel Power MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E To-263 60V 180a  Dhs025n06 e dhs025n06e_datasheet_v2.0.pdf
238A 60V MODALITÀ DI MIGLIORE N-Canale N POTENZA MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 To-220c 60V 238a Dispositivo DH026N06 Specification.pdf
120A 40V MODIEMENTO N-Canale N-Canale Potenza MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 To-220c 40v 120a Dispositivo DH033N04 Specification.pdf
60A 40V N-Canale Modalità di miglioramento Potenza MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P Dfn5x6 40v 60a Dispositivo DH065N04P Specification.pdf
180A 40V Modalità di miglioramento N-Canale Mosfet DHS021N04 TO-220C DHS021N04 To-220c 40v 180a DONGHAI+DHS021N04 e DHS021N04E+Foglio dati+v3.0.pdf
20A 650V SIC Schottky Barrier Diodo DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 To-247 650v 20A Dispositivo DCC20D65G4 Specification.pdf

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