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50A 650V Transistor bipolare a trench a trench a trench G50T65LBBW TO-247

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50A 650V Transistor bipolare a trench a trench a trench G50T65LBBW TO-247

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, la FS IGBT 650V offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta valanga e facile

disponibilità di funzionamento parallelo:

quantità:



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Modello:
G50T65LBBW
Marca:
Wxdh
Pacchetto:
To-247
Scheda dati:
G50T65LBBW__dataSheet (1) (1) .pdf
V:
650v
UN:
50a

Descrizione del prodotto

50A 650V Transistor bipolare di gate isolato a trench

1 caratteristiche

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, il 650V FS IGBT offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta funzionalità di robustezza delle valanghe.

2 caratteristiche

● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo

● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 1.8 V @ IC = 50A e TJ = 25 ° C

● Capacità di valanga estremamente migliorata

3 applicazioni

● Saldatura

● UPS

● Inverter a tre livelli

VCE	Pacchetto	IC (TJ = 100 ℃)
650v	To-247	50a

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