50a 650V Trenchstop Isolated Gate Bipolar Transistor G50T65LBBW TO-247

50a 650V grenchstop isolert port bipolar transistor

1 funksjoner 

Ved å bruke Donghais proprietære grøftedesign og forhånd FS -teknologi, tilbyr 650V FS IGBT overlegen og bytteprestasjoner, med høy skred robusthet enkel parallell drift 

2 funksjoner

● FS -grøfteteknologi, positiv temperaturkoeffisient

● Lav metningsspenning: VCE (SAT), typ = 1,8V @ ic = 50a og TJ = 25 ° C 

● Ekstremt forbedret snøskredfunksjon 

3 søknader 

● Sveising

● UPS 

● Omformer på tre nivåer