Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Igbt » 600 V-650V » 50A 650V Trenchstop Izolované brána bipolárne tranzistor G50T65LBBW TO-247

50A 650V Trenchstop Izolovaný bipolárny tranzistor G50T65LBBW TO-247

Zdieľať na:

50A 650V Trenchstop Izolovaný bipolárny tranzistor G50T65LBBW TO-247

Pomocou proprietárneho dizajnu výkopu Donghai a technológiou FS Advance FS ponúka IGBT 650V FS vynikajúce a prepínanie výkonov, vysoká lavínová drsnosť ľahkej paralelnej operácie

Dostupnosť:

Množstvo:



Pýtať sa Pridať do koša

Model:
G50T65lbBW
Značka:
Wxdh
Balík:
Až 247
DataShet:
G50T65LBBW__Datasheet (1) (1) .pdf
V:
650V
A:
50A

Opis produktu

50A 650V Trenchstop Izolovaný bipolárny tranzistor

1 funkcie

Pomocou proprietárneho návrhu výkopu Donghai a technológiou FS Advance FS ponúka IGBT 650V FS Vynikajúce a prepínanie výkonov, vysoká lavínová drsnosť ľahká paralelná prevádzka

2 funkcie

● Technológia výkopu FS, pozitívny koeficient teploty

● Nízke nasýtenie napätie: VCE (SAT), TYP = 1,8V @ IC = 50A a TJ = 25 ° C

● Mimoriadne vylepšená lavínová schopnosť

3 aplikácie

● Zváranie

● UPS

● Menič s tromi úrovňami

Vce	Balík	IC (TJ = 100 ℃)
650V	Až 247	50A

Predchádzajúce:

Ďalej:

Igbt

Prihláste sa do nášho bulletinu
Pripravte sa na budúcnosť
Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty

Odovzdať

Naše výrobky
- Mosfet
- Dióda
- Igbt
- IGBT modul
- Sic
- Regulátor napätia IC
O Leletor
Viac odkazov
Kontaktujte nás

E -mail:

sales@wxdh.com. Cn

Pevná linka:

+86-510-85307789
Sociálne siete