50A 650V Тренчстоп ізольованих воріт Біполярний транзистор G50T65LBBBW TO-247

50A 650V Траншея ізольованих воріт Біполярний транзистор

1 особливості 

Використовуючи власний дизайн траншеї Донгхая та просувану технологію FS, IGBT 650V FS пропонує чудові та комутаційні виступи, висока лавина міцність легкої паралельної роботи 

2 особливості

● Технологія траншеї FS, позитивний коефіцієнт температури

● Низька напруга насичення: vce (сб), тип = 1,8 В @ ic = 50a і tj = 25 ° C 

● Надзвичайно посилена здатність до лавини 

3 програми 

● зварювання

● ДБЖ 

● Трирівневий інвертор

VCe	Пакет	IC (TJ = 100 ℃)
650V	До-247	50a