丨
Прагнення стати лідером у
ПОТУЖНІСТЬ
НАПІВПРОВІДНИКИ
Дивитись більше
банер2
ВІДДАНІ 
СТАТИ ЛІДЕРОМ В 
СИЛОВІ НАПІВПРОВІДНИКИ
ПІДПРИЄМСТВО ГАЗЕЛЬ
Дивитись більше
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
0 +
㎡

Площа підлоги

0 +
мільйон

Статутний капітал

0 +
мільйон

Потужність виробничої лінії

0 +
%

Справжність товару

1

Про компанію

Компанія Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. була заснована в грудні 2004 року за адресою: № 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, Wuxi city, Province Jiangsu.Він займає площу 15000 м2.Статутний капітал становить 81,5 млн юанів.Вона має щорічну лінію виробництва 500 мільйонів пристроїв живлення.Є чотири лабораторії для перевірки характеристик пристрою, перевірки надійності, перевірки застосування та аналізу несправностей.Donghai — це високотехнологічне підприємство, яке займається розробкою, проектуванням, упаковкою, тестуванням і продажем напівпровідникових силових пристроїв та інтегральних схем.

Центр продуктів

Основна продукція: MOSFET, IGBT, діод тощо. Він широко використовується в різних побутових електронних виробах, промислових електронних виробах, новій енергетиці, інтелектуальній автомобільній електроніці, 5G та інших сферах.
MOSFET
ДІОД
IGBT
МОДУЛЬ
Наша перевага
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Професійні технології
  • Сильна продуктивність
  • Сучасне обладнання
  • Інноваційні дослідження
  • Хороше післяпродажне обслуговування

Гарячі продукти

DH030N03
DH030N03
У цих N-канальних режимах посилення потужності MOSFET використовується передова технологія траншеї, що забезпечує чудовий Rdson і низький заряд затвора.Що відповідає стандарту RoHS.
0
0
F7N80
F7N80
Ці покращені N-канальні vdmosfet, отримані за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.TO-220F забезпечує ізоляційну напругу 2000 В RMS від усіх трьох клем до зовнішнього радіатора.Серія TO-220F відповідає стандартам UL.
0
0
DH100P20D
DH100P20D
Ці розширені VDMOS-транзистори P-каналу, які використовують передову технологію траншеї та дизайн, забезпечують чудовий Rdson із низьким зарядом затвора.Що відповідає стандарту RoHS.
0
0
G40N120D
G40N120D
ROUM Field Stop Trench IGBT забезпечують низькі втрати при комутації, високу енергоефективність і стійкість до короткого замикання.
Він розроблений для таких застосувань, як керування двигуном, джерела безперебійного живлення (UPS), загальні інвертори.
0
0
G50T65D
G50T65D
Використовуючи власну конструкцію DongHai Trench і передову технологію FS, 650 В FS IGBT забезпечує чудові характеристики комутації, високу лавинну стійкість, легку паралельну роботу
0
0
MBRF20100CT
MBRF20100CT
Випрямляч Шотткі з двома центральними вкладками підходить для високочастотного сервера та телекомунікаційної базової станції SMPS.У упаковці TO Всередині упаковки цей пристрій поєднує в собі високий номінальний струм і низький об’єм для підвищення надійності та щільності потужності програми.TO-220F забезпечує ізоляційну напругу 2000 В RMS від усіх трьох клем до зовнішнього радіатора.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
Надшвидкісні діоди 60 А, 300 В. Вони мають низьке падіння прямої напруги та планарну, пасивовану нітридом кремнію, епітаксіальну конструкцію з іонною імплантацією.Ці пристрої призначені для використання як діоди керування енергією/затискні діоди та випрямлячі в різноманітних імпульсних джерелах живлення та інших додатках із комутацією живлення.Їх низький накопичений заряд і надшвидке відновлення з характеристиками м’якого відновлення мінімізують дзвін і електричний шум у багатьох схемах перемикання живлення, таким чином зменшуючи втрати потужності в перемикаючому транзисторі
0
0
MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Випрямляч Шотткі з двома центральними вкладками підходить для високочастотного сервера та телекомунікаційної базової станції SMPS.У упаковці TO Всередині упаковки цей пристрій поєднує в собі високий номінальний струм і низький об’єм для підвищення надійності та щільності потужності програми.TO-220F забезпечує ізоляційну напругу 2000 В RMS від усіх трьох клем до зовнішнього радіатора.
0
0
DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
У цих біполярних транзисторах із ізольованим затвором використовується розширена конструкція технології Trench і Fieldstop, що забезпечує чудовий VCEsat і швидкість перемикання, низький заряд затвора.Що відповідає стандарту RoHS.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Це сімейство продуктів пропонує найсучасніші характеристики.Він розроблений для високочастотних застосувань, де потрібна висока ефективність і висока надійність.
0
0
  • ЕНЕРГІЯ ВІТРУ
  • Зарядна купа
  • Автомобільна електроніка
  • Промислова електроніка

Центр новин

→
11_1365_905.jpg
→
2019黄山宏村两天游.jpg
→
2021年第四届春节跑步.jpg
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу інформаційну стрічку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Підпишіться
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com