100A 650V Напівмостовий модуль IGBT модуль DGA100H65M2T 34 мм

100A 650V Напівмостовий модуль

1 Опис 

У цих біполярних транзисторах із ізольованим затвором використовується розширена конструкція технології Trench і Fieldstop, що забезпечує чудовий VCEsat і швидкість перемикання, низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості 

  ● FS Trench Technology, позитивний температурний коефіцієнт 

  ● Низька напруга насичення: VCE (sat), typ = 1,9 В при IC = 100 A та Tj = 25 °C 

  ● Надзвичайно покращена лавиноздатність 

3 Додатки 

• Зварювання 

• ДБЖ 

• Трирівневий інвертор 

• Підсилювач сервоприводу змінного і постійного струму

  
  

  
  

  
  

  Тип	VCE	Ic	VCEsat, Tj=25 ℃	Тьоп	Пакет
  DGA100H65M2T	650В	100A (Tj=100 ℃)	1,81 В (тип.)	150 ℃	34 мм