100A 650V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ IGBT ໂມດູນ DGA100H65M2T 34mm

100A 650V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ

1 ຄຳອະທິບາຍ 

ເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ VCEsat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

  ● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ 

  ● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.9V @ IC = 100A ແລະ Tj = 25°C 

  ● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

• ການເຊື່ອມໂລຫະ 

• UPS 

• Inverter ສາມລະດັບ 

• ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ AC ແລະ DC servo drive

  
  

  
  

  
  

  ປະເພດ	VCE	ໄອຄ	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	ຊຸດ
  DGA100H65M2T	650V	100A (Tj=100℃)	1.81V (ປະເພດ)	150 ℃	34ມມ