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Module demi-pont 100A 650V, module IGBT DGA100H65M2T 34mm

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

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Modèle:
DGA100H65M2T
Marque:
WXDH
Emballer:
34mm
Fiche de données:
DGA100H65M2T.pdf
V :
650V
UN:
100A

Description du produit

Module demi-pont 100A 650V

1 Descriptif

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =100A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

Soudage
UPS
Onduleur à trois niveaux

Amplificateur de servomoteur AC et DC

Taper	VCE	IC	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Emballer
DGA100H65M2T	650V	100A (Tj=100℃)	1,81 V (type)	150℃	34MM

Module IGBT