100A 650V ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល IGBT ម៉ូឌុល DGA100H65M2T 34mm

ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 100A 650V

1 ការពិពណ៌នា 

Insulated Gate Bipolar Transistor ទាំងនេះបានប្រើ trench និងការរចនាបច្ចេកវិទ្យា Fieldstop កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ VCEsat ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងល្បឿនប្តូរ ការគិតថ្លៃច្រកទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 

2 លក្ខណៈពិសេស 

  ● បច្ចេកវិទ្យា FS Trench មេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន 

  ● វ៉ុលតិត្ថិភាពទាប៖ VCE(sat), typ = 1.9V @ IC = 100A និង Tj = 25°C 

  ● សមត្ថភាពនៃការធ្លាក់ព្រិលខ្លាំង 

3 កម្មវិធី 

• ការផ្សារដែក 

• UPS 

• Inverter បីជាន់ 

• ឧបករណ៍ពង្រីក AC និង DC servo drive

  
  

  
  

  
  

  ប្រភេទ	VCE	អ៊ីក	VCEsat, Tj = 25 ℃	Tjop	កញ្ចប់
  DGA100H65M2T	650V	100A (Tj=100 ℃)	1.81V (ប្រភេទ)	150 ℃	៣៤ ម។