қақпа
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Сіз осындасыз: Үй » Өнімдер » IGBT МОДУЛЬІ » PIM » 100A 650V Жартылай көпір модулі IGBT модулі DGA100H65M2T 34мм

жүктеу

Бөлісу:
facebook бөлісу түймесі
twitter бөлісу түймесі
сызықты ортақ пайдалану түймесі
wechat бөлісу түймесі
linkedin бөлісу түймесі
pinterest бөлісу түймесі
whatsapp бөлісу түймесі
бөлісу түймесін басыңыз

100A 650V Жартылай көпір модулі IGBT модулі DGA100H65M2T 34мм

Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы кеңейтілген траншея мен Fieldstop технологиясының дизайнын қолданды, тамаша VCEsat және коммутация жылдамдығын, төмен зарядты қамтамасыз етті. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.
 
Қол жетімділік:
Саны:
  • DGA100H65M2T

  • WXDH

  • 34мм

  • DGA100H65M2T.pdf

  • 650В

  • 100А

100А 650В Жартылай көпір модулі


1 Сипаттама 

Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы кеңейтілген траншея мен Fieldstop технологиясының дизайнын қолданды, тамаша VCEsat және коммутация жылдамдығын, төмен зарядты қамтамасыз етті. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. 


2 Мүмкіндіктер 

  ● FS Trench Technology, Оң температура коэффициенті 

  ● Төмен қанықтыру кернеуі: VCE(сат), тип = 1,9V @ IC =100A және Tj = 25°C 

  ● Қар көшкінін жою мүмкіндігі өте жоғары 


3 Қолданбалар 

  • Дәнекерлеу 

  • Юнайтед Пансел Сервис 

  • Үш деңгейлі инвертор 

  • Айнымалы және тұрақты ток сервожетегін күшейткіш




    Түр VCE Мен түсінемін VCEsat, Tj=25℃ Tjop Пакет
    DGA100H65M2T 650В 100А (Tj=100℃) 1,81 В (типі) 150℃ 34мм
Алдыңғы: 
Келесі: 
  • Біздің ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
  • болашаққа дайын болыңыз,
    тікелей кіріс жәшігіңізге жаңартулар алу үшін ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз