Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » IGBT modul » Pim » 100A 650V MODUL MODULE IGBT IGBT Modul DGA100H65M2T 34MM

100A 650V MODUL MODILE IGBT Modul DGA100H65M2T 34MM

Sdílet na:

100A 650V MODUL MODILE IGBT Modul DGA100H65M2T 34MM

Tyto izolované bipolární tranzistor brány používaly technologický design Advanced Trench a Fieldstop, poskytoval vynikající rychlost VCESAT a přepínání, nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.

Dostupnost:

Množství:



Zeptejte se Přidejte do koše

Model:
DGA100H65M2T
Značka:
Wxdh
Balík:
34 mm
Datasheet:
DGA100H65M2T.PDF
PROTI:
650V
A:
100a

Popis produktu

100A 650V MODUL HALF BRIDGE

1 Popis

2 funkce

● Technologie příkopu FS, koeficient pozitivní teploty

● Nízké nasycené napětí: VCE (SAT), TYP = 1,9V @ IC = 100A a TJ = 25 ° C

● Extrémně vylepšená schopnost laviny

3 aplikace

Svařování
UPS
Třídavý střídač
AC a DC Servo Drive zesilovač

Typ VCE IC VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Balík

DGA100H65M2T 650V 100a (TJ = 100 ℃) 1,81V (typ) 150 ℃ 34 mm

Předchozí:

Další:

IGBT modul

Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
Připravte se na budoucnost
Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty

Předložit

Naše výrobky
- MOSFET
- Dioda
- IGBT
- IGBT modul
- Sic
- Regulátor napětí IC
O Letor
Více odkazů
Kontaktujte nás

E-mail:

sales@wxdh.com. Cn

Pevná linka:

+86-510-85307789
Sociální sítě

Typ	VCE	IC	VCESAT, TJ = 25 ℃	Tjop	Balík
DGA100H65M2T	650V	100a (TJ = 100 ℃)	1,81V (typ)	150 ℃	34 mm