未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650V 50a _Datasheet (1) (1) .pdf
36A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 To-247-4L 1200V 36a Zařízení DCC080M120A Specifikace.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7a Dpqb07hb50mfn_datasheet_v1.0.pdf
90a 80V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90a Zařízení DHD80N08 Specifikace.pdf
2A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2a 英文版 D2n65 技术规格书 .pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3a DPQB03HB50MFN_DATASHEET_V1.0.PDF
170a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170a Zařízení DHS020N04P Specifikace Rev.2.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5a DPQB05HB50MFN_DATASHEET_V1.0.PDF
75A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC75F120M2 TO-247Plus DGC75F120M2 To-247plus 1200V 75a _Datasheet-V1.2.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4a DPQB04HB50MF_DATASHEET_V1.0.PDF
12A 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12a Specifikace D12N06 (TO-252B) .pdf
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40a G40N120D - Datasheet.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4a DPQB04HB50MFN_DATASHEET_V1.0.PDF
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3a DPQB03HB50MF_DATASHEET_V1.0.PDF
240a 85V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS020N88U MOLL BALL DHS020N88U Mýtné 85v 285a DHS020N88U_DATASHEET_V2.0.pdf
175a 80V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.pdf
15a 40V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7a Dpqb07hb50mf_datasheet_v1.0.pdf
500V/4A Half-Bridge IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4a DPQA04HB50MF_DATASHEET_V1.0.pdf
33a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33a Zařízení DH240N06L Specifikace Rev.2.0.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com