未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
310A 20V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Specifikace zařízení DH009N02.pdf
60A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Specifikace zařízení DH081N03.pdf
30A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Specifikace zařízení DH081N03R.pdf
40A 150V SchottkyBarrierDiode MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
10A 700V Dioda rychlého obnovení MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
320A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Specifikace zařízení DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
0,8A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Specifikace zařízení DH300P06.pdf
35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Zařízení+DSD270N12N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
175A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
105A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
100A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Specifikace zařízení DH85N08.pdf
60A 300V Dioda rychlého obnovení MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD600H65M2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Specifikace zařízení 50N06B34.pdf
Výkonový MOSFET 49A 80V N-channel Enhancement Mode DH116N08D TO-252B 80V 49A Specifikace zařízení DH116N08.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com