未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
6A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DIODE DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6a Dcgt06d65g4_datasheet_v1.0.pdf
50A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30v 50a Dhb50n03 & dhd50n03_datasheet_v1.0.pdf
4.5a 650V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650V 4.5a 英文版 F5N65C 技术规格书 Rev1.1.pdf
600A 1200V MODUL HALF BRIDGE DGB600H120L2T 62MM DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600a DGB600H120L2T.PDF
50A 1200V Half Bridge IGBT MODUL DHG50N120D 34MM DHG50N120D 34 mm 1200V 50a DHG50N120D.PDF
75a 1200V Half Bridge IGBT Modul DGA75H120M2T 34MM DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75a DGA75H120M2T.PDF
20A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DIODE DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20a Zařízení DCCT20D65G4 Specification.pdf
100A 1200V Half Bridge IGBT Modul DGA100H120M2T 34MM DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100a DGA100H120M2T.PDF
4a 1500V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F To-3pf 1500V 4a 英文版 dh4n150f ​​技术规格书 .pdf
4a 650V sic Schottkyho bariéra diody DCD04D65G4 TO-252B 650V 4a Zařízení DCD04D65G4 Specification.pdf
7A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650V 7a 英文版 7N65 技术规格书 .pdf
15A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650V 15a
90a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90a Zařízení DH045N04 Specifikace.pdf
110a 60V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110a Zařízení+DH066N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
180a 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180a  DHS025N06 & DHS025N06E_DATASHEET_V2.0.pdf
238a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238a Zařízení DH026N06 Specifikace.pdf
120a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120a Zařízení DH033N04 Specifikace.pdf
60A 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60a Zařízení DH065N04P Specifikace.pdf
180a 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180a Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+Datasheet+V3.0.pdf
20A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20a Zařízení DCC20D65G4 Specifikace.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com