brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 170A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

170A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6

Tyto výkonové mosfety v režimu vylepšení N-kanálů využívaly pokročilý design technologie dělených hradel, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:

170A 40V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET


1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu vylepšení N-kanálů využívaly pokročilý design technologie dělených hradel, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● Test 100% ΔVDS 


3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod 

● Elektrické nářadí 

● UPS 

● Ovládání motoru


Včes RDS(zapnuto) (TYP) ID
40V 1,3 mΩ 170A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky