170A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS020N04P DFN5*6

170A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis 

Tieto výkonové mosfety s režimom N-kanálového vylepšenia využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Nízky odpor

● Nízky poplatok za bránu 

● Rýchle prepínanie 

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Synchrónna náprava v SMPS

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie 

● UPS 

● Ovládanie motora

Vces	RDS(zapnuté) (TYP)	ID
40 V	1,3 mΩ	170A