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170A 40V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS020N04P DFN5*6

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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170A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Rectificación sincrónica en SMPS

● Circuito de conmutación dura y alta velocidad 

● Herramientas eléctricas 

● UPS 

● Control de motor


Vces RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 1.3mΩ 170A


descargar Dispositivo DHS020N04P Especificación Rev.2.0.pdf

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