Comprometidos a convertirse en un líder en

FUERZA

SEMICONDUCTORES

CONTRIBUIR A LA VIDA VERDE Y AL DESARROLLO SOSTENIBLE

INNOVACIÓN, INTEGRIDAD, ENTUSIASMO, DEDICACIÓN

Módulo/tubo único IGBT, diodo SiC/MOS, SGT MOS, Trench-MOS, súper unión MOS, regulador de voltaje de tres terminales, FRD, SBD, SCR, etc.

T0-220C, TO-220F, TO-220M, TO-3PN, TO-247, TO-251, T0-252, T0-263, PEAJE, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8, TO-92, etc.

PRODUCTOS PRINCIPALES

PAQUETES PRINCIPALES

㎡

Superficie del suelo

millón

capital registrado

millón

Capacidad de la línea de producción

Autenticidad del producto

Perfil de la empresa

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. se estableció en diciembre de 2004 y está ubicada en el número 88 de Zhongtong East Road, Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu. Tiene una superficie de 15000m2. El capital social es de 81,5 millones de yuanes. Tiene una línea de producción anual de 500 millones de dispositivos eléctricos. Hay cuatro laboratorios para pruebas de características de dispositivos, pruebas de confiabilidad, pruebas de aplicaciones y análisis de fallas. Donghai es una empresa de alta tecnología dedicada al desarrollo, diseño, empaquetado, prueba y venta de dispositivos de potencia semiconductores y circuitos integrados.

Descripción general de la empresa

Centro de productos

Ofrecemos al cliente una solución integral de productos, que incluye LV-MV MOSFET, HV MOSFET, IGBT simple/módulo, FRD/SBD, diodo SiC/MOS/módulo, GaN e IPM.

MOSFET

DIODO

IGBT

MÓDULO IGBT

SIC

Regulador de voltaje IC

TODOS LOS PRODUCTOS

Profesional

Tecnología

Fuerte

Productividad

Avanzado

Equipo

Innovación

Investigación

Buena posventa

Servicio

Semiconductores y circuitos integrados de venta caliente

Tecnología de fabricación avanzada, mejores condiciones de proceso y estructuras de dispositivos finamente optimizadas para optimizar continuamente la resistencia de conducción del producto, las características del interruptor, la confiabilidad y promover continuamente la iteración del producto.

Productos destacados

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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 85V DHS045N85 TO-220C

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Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20NCT TO-3PN

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MOSFET de potencia 60N10 TO-220C del modo de mejora del canal N de 59A 100V

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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 105A 68V DHS055N07 TO-220C

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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 70V DHS043N07P DFN5X6

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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 60V DH065N06 TO-220C

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transistor bipolar G50T65D TO-3PN de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V

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Regulador de voltaje de tres terminales IC L7815 TO-220M

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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 160A 30V DH020N03P 5x6-8

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MOSFET TO-220C de potencia de modo de mejora de canal N de 47A y 100 V

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Serie TRIAC 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M

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Regulador de voltaje de tres terminales IC L7805CV TO-220M

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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 25A 100V DHS250N10D TO-252B

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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS021N04P DFN5X6

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MOSFET N6005 TO-220C de potencia del modo de mejora del canal N de 210A 60V

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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 60A 68V DH60N06 TO-220C

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MOSFET F14N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 14A 650V

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MOSFET F8N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 650V

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Transistor bipolar G40N120D TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 40A 1200V

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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 30A 100V DH100P30AD TO-252B

Más información

Soluciones de sistemas de control de potencia inteligentes de semiconductores

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