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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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Acerca de la compañía

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. se estableció en diciembre de 2004 y está ubicada en el número 88 de Zhongtong East Road, Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu.Tiene una superficie de 15000m2.El capital social es de 81,5 millones de yuanes.Tiene una línea de producción anual de 500 millones de dispositivos eléctricos.Hay cuatro laboratorios para pruebas de características de dispositivos, pruebas de confiabilidad, pruebas de aplicaciones y análisis de fallas.Donghai es una empresa de alta tecnología dedicada al desarrollo, diseño, empaquetado, prueba y venta de dispositivos de potencia semiconductores y circuitos integrados.

Centro de productos

Los principales productos son: MOSFET, IGBT, diodo, etc. Se utiliza ampliamente en diversos productos electrónicos de consumo, productos electrónicos industriales, nuevas energías, electrónica automotriz inteligente, 5G y otros campos.
MOSFET
DIODO
IGBT
MÓDULO
Nuestra ventaja
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • tecnología profesional
  • Fuerte productividad
  • Equipo avanzado
  • Investigación de innovación
  • Buen servicio postventa

Productos

DH030N03
DH030N03
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
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F7N80
F7N80
Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.TO-220F proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales al disipador térmico externo.La serie TO-220F cumple con los estándares UL.
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DH100P20D
DH100P20D
Estos VDMOSFET mejorados de canal P, que utilizan tecnología y diseño de zanja avanzados, brindan un Rdson excelente con una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
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G40N120D
G40N120D
Los IGBT ROUM Field Stop Trench ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia energética y resistencia a cortocircuitos.
Está diseñado para aplicaciones como control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), inversores generales.
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G50T65D
G50T65D
Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo.
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MBRF20100CT
MBRF20100CT
Rectificador Schottky de doble pestaña central adecuado para servidores de alta frecuencia y estaciones base de telecomunicaciones SMPS.Empaquetado en TO Dentro del paquete, este dispositivo combina una alta clasificación de corriente y un bajo volumen para mejorar tanto la confiabilidad como la densidad de potencia de la aplicación.TO-220F proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales al disipador térmico externo.
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MUR6030NCA
MUR6030NCA
Diodos ultrarrápidos de 60 A y 300 V. Tienen una baja caída de voltaje directo y son de construcción epitaxial plana, pasivada con nitruro de silicio, implantada con iones.Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de dirección/sujeción de energía y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía.Su baja carga almacenada y recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimizan el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, reduciendo así la pérdida de energía en el transistor de conmutación.
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MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Rectificador Schottky de doble pestaña central adecuado para servidores de alta frecuencia y estaciones base de telecomunicaciones SMPS.Empaquetado en TO Dentro del paquete, este dispositivo combina una alta clasificación de corriente y un bajo volumen para mejorar tanto la confiabilidad como la densidad de potencia de la aplicación.TO-220F proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales al disipador térmico externo.
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DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
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DCC040M120A2
DCC040M120A2
Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación.Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad.
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  • ENERGÍA EÓLICA
  • Pila de carga
  • Electrónica automotriz
  • Electrónica Industrial

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