Sa oled siin: Kodu » Tooted » » Mosfet » 12V-300V N MOS » 170A 40V N-kanali parendamise režiim Power Mosfet DHS020NN04P DFN5*6

170A 40V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DHS020N04P DFN5*6

Jagage:

170A 40V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DHS020N04P DFN5*6

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid Advanced Splite Gate Trench Technology disaini, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.

Kättesaadavus:

kogus:



Küsima Lisage korvi

Mudel:
DHS020N04P
Bränd:
Wxdh
Pakett:
Dfn5*6-8
Andmeleht:
Seade DHS020N04P spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf
V:
40 V
V:
170A

170A 40V N-kanali parendamise režiimi toitemootoriga MOSFET

1 kirjeldus

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid Advanced Splite Gate Trench Technology disaini, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.

2 funktsiooni

● Madal takistus

● Madala väravatasu

● Kiire vahetamine

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test

3 rakendust

● SMP -de sünkroonne refereerimine

● kõva lülitus ja kiire vooluring

● Elektritööriistad

● UPS

● Mootori juhtimine

Ves	RDS (ON) (tüüp)	Isikutunnistus
40 V	1,3m Ω	170A

Eelmine:

Järgmine:

170A 40V N-kanali parendamise režiimi toitemootoriga MOSFET