170A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS020N04P DFN5*6

170A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS -testi 

3 Sovellukset 

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri 

● Sähkötyökalut 

● UPS 

● Moottorin ohjaus

Vces	RDS(päällä) (TYP)	ID
40V	1,3 mΩ	170A