丨
Sitoutunut olemaan johtaja
POWER
PUOLIJOHTEET
Katso lisää
banneri 2
OMISTAUTUNUT 
JOHTAJAKSI 
TEHOPUOLIJOHTEET
GAZELLE-YRITYS
Katso lisää
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
0 +
㎡

Lattia-alue

0 +
miljoonaa

Rekisteröity pääoma

0 +
miljoonaa

Tuotantolinjan kapasiteetti

0 +
%

Tuotteen aitous

1

Tietoja yrityksestä

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. perustettiin joulukuussa 2004, ja se sijaitsee osoitteessa nro 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, Wuxin kaupunki, Jiangsun maakunta.Sen pinta-ala on 15 000 m2.Rekisteröity pääoma on 81,5 miljoonaa yuania.Sen vuotuinen tuotantolinja on 500 miljoonaa teholaitetta.Laitteen ominaisuustestejä, luotettavuustestejä, sovellustestejä ja vikaanalyysejä varten on neljä laboratoriota.Donghai on korkean teknologian yritys, joka kehittää, suunnittelee, pakkaa, testaa ja myy puolijohdeteholaitteita ja integroituja piirejä.

Tuotekeskus

Päätuotteita ovat: MOSFET, IGBT, diodit jne. Sitä käytetään laajasti erilaisissa kulutuselektroniikkatuotteissa, teollisuuden elektroniikkatuotteissa, uudessa energiassa, älykkäässä autoelektroniikassa, 5G:ssä ja muilla aloilla.
MOSFET
DIODI
IGBT
MODUULI
Meidän etumme
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Ammattimainen tekniikka
  • Vahva tuottavuus
  • Edistykselliset laitteet
  • Innovaatiotutkimus
  • Hyvä myynnin jälkeinen palvelu

Kuumat tuotteet

DH030N03
DH030N03
Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen.Joka on RoHS-standardin mukainen.
0
0
F7N80
F7N80
Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit saadaan itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentätehoa ja lisää lumivyöryenergiaa.Joka on RoHS-standardin mukainen.TO-220F tarjoaa eristysjännitteen 2000 V RMS kaikista kolmesta liittimestä ulkoiseen jäähdytyselementtiin.TO-220F-sarja täyttää UL-standardit.
0
0
DH100P20D
DH100P20D
Nämä P-kanavaiset Enhanced VDMOSFETit, käytetty edistynyttä kaivaustekniikkaa ja suunnittelua, tarjoavat erinomaisen Rdsonin alhaisella porttilatauksella.Joka on RoHS-standardin mukainen.
0
0
G40N120D
G40N120D
ROUM Field Stop Trench IGBT:t tarjoavat alhaiset kytkentähäviöt, korkean energiatehokkuuden ja oikosulkusuojauksen.
Se on suunniteltu sovelluksiin, kuten moottorin ohjaus, keskeytymättömät virtalähteet (UPS) ja yleiset invertterit.
0
0
G50T65D
G50T65D
Käyttämällä DongHain patentoitua Trench-suunnittelua ja edistyksellistä FS-tekniikkaa, 650 V FS IGBT tarjoaa erinomaisen ja kytkentäsuorituskyvyn, korkean lumivyörykestävyyden ja helpon rinnakkaiskäytön.
0
0
MBRF20100CT
MBRF20100CT
Dual center tab Schottky tasasuuntaaja sopii High Frequency Server ja tietoliikenteen tukiaseman SMPS.Pakattu TO-pakkaukseen Pakkauksen sisällä tämä laite yhdistää korkean virran ja pienen äänenvoimakkuuden parantamaan sovelluksen luotettavuutta ja tehotiheyttä.TO-220F tarjoaa eristysjännitteen 2000 V RMS kaikista kolmesta liittimestä ulkoiseen jäähdytyselementtiin.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
60A, 300V Ultrafast Diodit Niillä on pieni eteenpäin suuntautuva jännitehäviö ja ne ovat tasomaisia, piinitridillä passivoituja, ioni-istutettuja, epitaksiaalisia.Nämä laitteet on tarkoitettu käytettäväksi energianohjaus-/puristusdiodeina ja tasasuuntaajina erilaisissa hakkuriteholähteissä ja muissa tehonkytkentäsovelluksissa.Niiden alhainen varastoitu lataus ja erittäin nopea palautuminen pehmeillä palautumisominaisuuksilla minimoivat soittoäänen ja sähköisen melun monissa tehonkytkentäpiireissä, mikä vähentää tehohäviötä kytkentätransistoreissa
0
0
MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Dual center tab Schottky tasasuuntaaja sopii High Frequency Server ja tietoliikenteen tukiaseman SMPS.Pakattu TO-pakkaukseen Pakkauksen sisällä tämä laite yhdistää korkean virran ja pienen äänenvoimakkuuden parantamaan sovelluksen luotettavuutta ja tehotiheyttä.TO-220F tarjoaa eristysjännitteen 2000 V RMS kaikista kolmesta liittimestä ulkoiseen jäähdytyselementtiin.
0
0
DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen.Joka on RoHS-standardin mukainen.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Tämä tuoteperhe tarjoaa huippuluokan suorituskyvyn.Se on suunniteltu suurtaajuussovelluksiin, joissa vaaditaan korkeaa tehokkuutta ja korkeaa luotettavuutta.
0
0
  • TUULIVOIMA
  • Latauskasa
  • Autojen elektroniikka
  • Teollisuuselektroniikka

Uutiskeskus

→
11_1365_905.jpg
→
2019黄山宏村两天游.jpg
→
2021年第四届春节跑步.jpg
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Tilaa
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com