portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » IGBT-MODUULI » PIM » 40A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGA40H120M2T 34mm

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjakopainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

40A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGA40H120M2T 34mm

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
Saatavuus:
Määrä:

40A 1200V puolisiltamoduuli

1 Kuvaus 

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin 

● Matala kyllästysjännite: VCE (sat), tyyppi = 2,25 V @ IC = 100 A ja Tj = 25 °C 

● Erittäin parannettu lumivyörykyky 


3 Sovellukset

 Hitsaus 

 UPS 

 Kolmiportainen invertteri 

 AC- ja DC-servokäyttövahvistin


Tyyppi VCE Ic VCEsat, Tj = 25 ℃ Tjop Paketti
DGA40H120M2T 1200V 40 A (Tj = 100 ℃) 1,75 V (tyyppi) 150℃ 34 mm


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi