40 ա 1200V կես կամուրջի մոդուլ IGBTMODULE DGA40H120M2T 34 մմ

Այս մեկուսացված դարպասի երկբեւեռի տրանզիստորը օգտագործեց առաջադեմ խրամատ եւ դաշտային տեխնոլոգիական ձեւավորում, տրամադրեց գերազանց VCEWat եւ անջատիչ արագություն, ցածր դարպասի լիցք: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

Առկայություն.

Քանակ:



Հարցաքննել Ավելացնել զամբյուղ

Մոդել:
DGA40H120M2T
Ապրանքանիշը
Wxdh
Փաթեթ.
34 մմ
DataSheet:
DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
V:
1200 վ
Ա.
40 ա

40 ա 1200V կես կամուրջի մոդուլ

1 Նկարագրություն

Այս մեկուսացված դարպասի երկբեւեռի տրանզիստորը օգտագործեց առաջադեմ խրամատ եւ դաշտային տեխնոլոգիական ձեւավորում, տրամադրեց գերազանց VCEWat եւ անջատիչ արագություն, ցածր դարպասի լիցք: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

2 առանձնահատկություններ

● FS խրամատ տեխնոլոգիա, դրական ջերմաստիճանի գործակից

● Low ածր հագեցման լարում. VCE (SAT), TYP = 2.25V @ IC = 100A եւ TJ = 25 ° C

● Չափազանց ուժեղացված ավալանշի ունակություն

3 դիմում

 Եռակցում

 ups

 Երեք լծակ ինվերտոր

 AC եւ DC Servo Drive Amllifier

Տիպ	Վեճում	Ic	Vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	Փաթեթ
DGA40H120M2T	1200 վ	40 ա (TJ = 100 ℃)	1.75V (մուտք)	150 ℃	34 մմ

Նախորդը:

Հաջորդը.

IGBT մոդուլ