қақпа
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Сіз осындасыз: Үй » Өнімдер » IGBT МОДУЛЬІ » PIM » 40А 1200 В жартылай көпір модулі IGTM модулі DGA40H120M2T 34 мм

жүктеу

Бөлісу:
facebook бөлісу түймесі
twitter бөлісу түймесі
сызықты ортақ пайдалану түймесі
wechat бөлісу түймесі
linkedin бөлісу түймесі
pinterest бөлісу түймесі
whatsapp бөлісу түймесі
бөлісу түймесін басыңыз

40A 1200V Жартылай көпір модулі IGTMmodule DGA40H120M2T 34мм

Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы кеңейтілген траншея мен Fieldstop технологиясының дизайнын қолданды, тамаша VCEsat және коммутация жылдамдығын, төмен зарядты қамтамасыз етті. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.
Қол жетімділігі:
Саны:
  • DGA40H120M2T

  • WXDH

  • 34мм

  • DGA40H120M2T-REV1.0.pdf

  • 1200 В

  • 40А

40А 1200 В жарты көпір модулі

1 Сипаттама 

Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы кеңейтілген траншея мен Fieldstop технологиясының дизайнын қолданды, тамаша VCEsat және коммутация жылдамдығын, төмен зарядты қамтамасыз етті. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. 


2 Мүмкіндіктер 

● FS Trench Technology, Оң температура коэффициенті 

● Төмен қанықтыру кернеуі: VCE(сат), тип = 2,25В @ IC =100A және Tj = 25°C 

● Қар көшкінін жою мүмкіндігі өте жоғары 


3 Қолданбалар

 Дәнекерлеу 

 UPS 

 Үш деңгейлі инвертор 

 айнымалы және тұрақты ток сервожетегін күшейткіш


Түр VCE Мен түсінемін VCEsat, Tj=25℃ Tjop Пакет
DGA40H120M2T 1200 В 40А (Tj=100℃) 1,75 В (типі) 150℃ 34мм


Алдыңғы: 
Келесі: 
  • Біздің ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
  • болашаққа дайын болыңыз,
    тікелей кіріс жәшігіңізге жаңартулар алу үшін ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз