40A 1200V ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល IGBTModule DGA40H120M2T 34mm

ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 40A 1200V

1 ការពិពណ៌នា 

Insulated Gate Bipolar Transistor ទាំងនេះបានប្រើប្រាស់លេណដ្ឋាន និងការរចនាបច្ចេកវិជ្ជា Fieldstop កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ VCEsat ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងល្បឿនប្តូរ ការគិតប្រាក់ទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 

2 លក្ខណៈពិសេស 

● បច្ចេកវិទ្យា FS Trench មេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន 

● វ៉ុលតិត្ថិភាពទាប៖ VCE(sat), typ = 2.25V @ IC = 100A និង Tj = 25°C 

● សមត្ថភាពនៃការធ្លាក់ព្រិលខ្លាំង 

3 កម្មវិធី

ផ្សារដែក 

 UPS 

 Inverter បីជាន់ 

 AC និង DC servo drive amplifier

ប្រភេទ	VCE	អ៊ីក	VCEsat, Tj = 25 ℃	Tjop	កញ្ចប់
DGA40H120M2T	1200V	40A (Tj=100 ℃)	1.75V (ប្រភេទ)	150 ℃	៣៤ ម។