未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » IGBT -modul » Pim » 40a 1200v Half Bridge Module IgbtModule DGA40H120M2T 34mm

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

40A 1200V Half Bridge Module IgbtModule DGA40H120M2T 34mm

Disse isolerede gate -bipolære transistorer brugte avanceret grøft og feltstop -teknologi -design, gav fremragende VCESAT og skifthastighed, lav portafgift. Der stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgængelighed:
Mængde:
Spørge Føj til kurv

40A 1200V Half Bridge Module

1 Beskrivelse 

Disse isolerede gate -bipolære transistorer brugte avanceret grøft og feltstop -teknologi -design, gav fremragende VCESAT og skifthastighed, lav portafgift. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● FS -grøfteknologi, positiv temperaturkoefficient 

● Lav mætningspænding: VCE (SAT), TYP = 2,25V @ IC = 100A og TJ = 25 ° C 

● Ekstremt forbedret lavineevne 


3 applikationer

 Svejsning 

 Ups 

 Tre-Leve Inverter 

 AC og DC Servo Drive Amplifier


Type Vce Ic VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Pakke
DGA40H120M2T 1200v 40A (TJ = 100 ℃) 1,75V (typ) 150 ℃ 34 mm


Download DGA100H170M2T-REV1.0.pdf

Tidligere: 
Næste: 
IGBT -modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke
    Indsende
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology af leadong.com