port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » IGBT-MODUL » PIM » 40A 1200V Halvbromodul IGBTModule DGA40H120M2T 34mm

indlæsning

Del til:
facebook delingsknap
twitter-delingsknap
knap til linjedeling
wechat-delingsknap
linkedin-delingsknap
pinterest delingsknap
whatsapp delingsknap
del denne delingsknap

40A 1200V Halvbromodul IGBTModule DGA40H120M2T 34mm

Disse Isolated Gate bipolære transistorer brugte avanceret rendegrav og Fieldstop-teknologidesign, gav fremragende VCEsat og omskiftningshastighed, lav portladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
Tilgængelighed:
Antal:

40A 1200V Halvbromodul

1 Beskrivelse 

Disse Isolated Gate bipolære transistorer brugte avanceret rendegrav og Fieldstop-teknologidesign, gav fremragende VCEsat og omskiftningshastighed, lav portladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 


2 funktioner 

● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient 

● Lav mætningsspænding: VCE(sat), typ = 2,25V @ IC =100A og Tj = 25°C 

● Ekstremt forbedret lavinekapacitet 


3 Ansøgninger

 Svejsning 

 UPS 

 Tre-trins inverter 

 AC og DC servodrevforstærker


Type VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pakke
DGA40H120M2T 1200V 40A (Tj=100℃) 1,75V (Typ) 150 ℃ 34 MM


Tidligere: 
Næste: 
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • gør dig klar til fremtiden
    tilmeld dig vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte i din indbakke