40A 1200V modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGA40H120M2T 34mm

40A 1200V Modul polovičného mostíka

1 Popis 

Tieto bipolárne tranzistory s izolovanou bránou používali pokročilý dizajn výkopu a technológie Fieldstop, poskytovali vynikajúcu rýchlosť VCEsat a spínania, nízke nabíjanie brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● FS Trench Technology, Kladný teplotný koeficient 

● Nízke saturačné napätie: VCE (sat), typ = 2,25 V @ IC = 100 A a Tj = 25 °C 

● Extrémne zvýšená lavínová schopnosť 

3 Aplikácie

 Zváranie 

 UPS 

 Trojúrovňový invertor 

 AC a DC servozosilňovač

Typ	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Balíček
DGA40H120M2T	1200V	40A (Tj=100℃)	1,75 V (typ)	150 ℃	34 mm