未命名 (1) (8) (1)
بوابة
Jiangsu Donghai Semiconductor Co. ، Ltd
أنت هنا: بيت » منتجات » وحدة IGBT » بيم » 40a 1200V Half Bridge Module IgBtModule DGA40H120M2T 34MM

تحميل

شارك إلى:
زر مشاركة Facebook
زر مشاركة تويتر
زر مشاركة الخط
زر مشاركة WeChat
زر مشاركة LinkedIn
زر مشاركة بينتيريست
زر مشاركة WhatsApp
زر مشاركة Sharethis

40A 1200V Half Bridge Module IGBTMODULE DGA40H120M2T 34MM

استخدمت هذه الترانزستور الثنائي القطب المعزول تصميم الخندق المتقدم والتكنولوجيا الميدانية ، وتوفير سرعة VCESAT و STANDING SPEED ، وشحنة البوابة المنخفضة. الذي يتوافق مع معيار ROHS.
التوفر:
الكمية:
استفسر أضف إلى السلة

  • DGA40H120M2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA40H120M2T-REV1.0.PDF

  • 1200V

  • 40A

40A 1200V Half Bridge Module

1 الوصف 

استخدمت هذه الترانزستور الثنائي القطب المعزول تصميم الخندق المتقدم والتكنولوجيا الميدانية ، وتوفير سرعة VCESAT و STANDING SPEED ، وشحنة البوابة المنخفضة. الذي يتوافق مع معيار ROHS. 


2 ميزات 

● تقنية FS Trench ، معامل درجة الحرارة الإيجابية 

● جهد التشبع المنخفض: VCE (SAT) ، TYP = 2.25V @ IC = 100A و TJ = 25 درجة مئوية 

● قدرة الانهيار المعززة للغاية 


3 تطبيقات

 اللحام 

 UPS 

 العاكس ثلاثي الساق 

 مكبر صوت محرك AC و DC


يكتب VCE IC vcesat ، tj = 25 ℃ tjop طَرد
DGA40H120M2T 1200V 40A (TJ = 100 ℃) 1.75V (TYP) 150 ℃ 34mm


تحميل DGA100H170M2T-REV1.0.PDF

سابق: 
التالي: 
وحدة IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co. ، Ltd
  • اشترك في النشرة الإخبارية لدينا
  • استعد
    للتسجيل المستقبلي في النشرة الإخبارية الخاصة بنا للحصول على التحديثات مباشرة إلى صندوق الوارد الخاص بك
    يُقدِّم
حقوق الطبع والنشر © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co. ، Ltd Technology by Leadong.com